等离子体设备在不破坏晶圆片及其它材料的接触面特性、热学特性和电气特性的前提下，进行的清洗，对半导体元器件的功能性、牢固性、集成度等方面都很重要，否则极大地（降）低产品良品率，阻碍半导体元器件的更进一步突破。

一、等离子体设备清洗的基本技术原理
1、在密闭真空腔中，通过不断抽真空泵，使压力值逐渐减小，真空度增大，分子间的间距增大，分子间作用力变小，利用等离子发生器所产生的高压交变电场将氩气、H2、N2、O2、CF4等工艺气体激发、振荡变成高反应活性或高能量等离子体，并与有(机)污物及微颗粒物污物反应或触碰变成挥发性气体，可以起到接触面的清洁、（活）化、刻蚀等目的；
2、等离子清洗不会破坏处理过的材料或产品固有的特性，仅改变接触面(纳)米级的厚度，即将清洗过的材料或产品接触面上的污物除去，分子键打开后极微小的结构变化，变成一定的粗糙度或者在接触面产生亲水性的原子团基，使金属焊接的牢固性增强，两种材料间的粘合力提高等，可以延长产品的使用年限。

二、根据其反应类型，半导体封装的等离子清洗可以分为三类
a、清洗物理反应：利用氩气等惰性气体很容易不与其它气体发生反应，离子质量较重，对材料接触面进行物理轰击，(清)除污物或打断高分子键结，变成微结构粗糙面；
如：氩气+e-→氩气++2e-氩气++沾污→挥发性污染，氩气+在自偏压或外偏压作用下加速产生动能，然后轰击放置于负极的清洁工件接触面，一般用来除去氧化物、环氧树脂外溢或微粒污物，同时进行接触面(活)化。
b、化学反应清洗：利用活性气体如H2、O2的特性，使之发生还原反应或变成活性官能团，进行接触面改性，提高亲水性等；
如1:O2+e-→2O*+e-O*+有(机)物→CO2+H2O。
由反应式可见，氧气等离子体通过化学反应将非挥发性有(机)物转化为易挥发的H2O和CO2。
如2:H2+e-→2H*+e-H*+非挥发性金属氧化物→金属+H2O；实验结果表明，氢等离子体可通过化学反应除去金属表面的氧化层，并对其进行的清洁。
c、物理化学反应的清洗：按需通入两种组合的工艺气体，例如氩气、H2混合气，其选择性、清洗性、均匀性和方向性都很好。
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