等离子蚀刻机可实现外观清洗、外观活化、外观蚀刻和外观涂层的功能。根据不同的处理材料和目的，机器可以达到不同的处理效果。应用于半导体行业的等离子蚀刻机有等离子蚀刻、显影、去胶、封装等。蚀刻过程在集成电路芯片芯片封装中，不只可以蚀刻外观的光刻胶，还可以蚀刻下面的氮化硅层。调节真空等离子蚀刻机的部分参数，可以得到特定的氮化硅层形状，即侧壁蚀刻倾角。

        氮化硅(Si3N4)是目前最热门的新材料之一，具有密度小、硬度高、弹性模量高、热稳定性好等特点，广泛应用于许多领域。在晶片制造中，氮化硅可以代替氧化硅。由于其高硬度，可以在晶片外观形成非常薄的氮化硅薄膜(在硅片加工中，最广泛使用的单位是埃)，厚度约为几十埃，保护外观，避免划伤。此外，其突出的绝缘强度和抗氧化能力也能达到良好的隔离效果。氮化硅的缺点是其流动性不如氧化物，难以蚀刻。等离子蚀刻可以克服蚀刻的困难。
       等离子蚀刻机是采用化学或物理或化学的共同作用来实现的。化学反应腔的气体电离，是指离子、电子和游离基等活性物质的等离子体，采用扩散吸附在介质外观，与介质外观的原子对其进行化学反应，形成挥发性物质。而且，高能量离子在有一定压力下对介质外观对其进行物理轰击和蚀刻，去除再沉积的化学反应产物和聚合物。采用化学和物理的共同作用完成介质层的蚀刻。
       蚀刻是晶圆制造加工制作工艺 中的一个重要环节，也是微电子IC制造加工制作工艺 和微纳制造加工制作工艺 中的一个重要环节，一般在光刻胶涂布和光刻显影后，以光刻胶为掩膜，采用物理溅射和化学作用去除不必要的金属，其目的是形成与光刻胶图形相同的线路图形。等离子蚀刻机是主流的干式蚀刻，由于其良好的蚀刻速度和方向性，目前已逐步取代湿式蚀刻。
       对于IC芯片芯片封装，真空等离子蚀刻机的蚀刻加工制作工艺一方面能蚀刻表面上的光刻胶，还能防止硅衬底的蚀刻损坏，从而满足许多加工制作工艺的要求。实验报告显示，改善真空等离子体清洗机的部分参数，既能满足蚀刻要求，又能形成一定形状的氮化硅层，即侧壁蚀刻倾角。