crf电浆清洗机刻蚀PTFE粗糙度效果好：
        crf电浆清洗机运行的功率并不是大就好，在较低功率下，处理的薄膜剪切强度随之功率的增加而增加，达到峰值后强度逐渐下降。感应耦合等离子体蚀刻方式(ICPE)是化学过程和物理过程的综合结果。它的基本原理是：在低压下，由ICP射频电源向环形耦合线圈输出，通过耦合辉光放电，混合刻蚀气体通过耦合辉光放电，形成高密度的等离子体，在下电极RF作用下，在基片表面跃迁，基片图形区域内的半导体材料的化学键被打断，与刻蚀气体形成挥发性物质，将气体从基片中分离出来，抽离真空管。

       同样条件下，O2等离子体处理比N2气等离子体处理效果更好。如果需要进行蚀刻，以及蚀刻后需要清除污垢，浮渣，表面处理，等离子聚合，等离子灰化或任何其他蚀刻应用，我们可以按照客户的要求，生产出安全可靠的等离子蚀刻机工艺。我公司兼具传统的等离子型蚀刻系统和反应型离子型蚀刻系统，可以生产系列产品，也可以为客户定制专用系统。我们可以提供快速/高质量蚀刻，提供所需的均匀度。
       随之处理时间的延长，薄膜表面接触角减小，但在一定时间内，接触角几乎没有变化。等离子体处理可用于各种基底，复杂的几何构形也可进行活化，清洗和镀膜等。plasma处理的热负荷和机械负荷较低，因此，低压等离子也能处理敏感材料。
        以上结果说明，利用crf电浆清洗机表面处理PTFE粘性较好，需要不断地调整各处理参数以获得良好的处理工艺，crf电浆清洗机操作简单，可设定多个实验参数，同时也可储存多种工艺参数，这对探寻工艺参数很有帮助。
crf电浆清洗机蚀刻机工艺的典型应用是：半导体/集成电路；氮化镓；氮化铝/氮化镓；砷化镓/砷化铝镓；砷化镓；磷化铟、镓/铟镓化物(InPInGaAs/InAlAs)；硅；硅锗；硅化硅陶瓷(Si3N4)；硅的溴化氢；硒化锌(ZnSe)；铝；铬；铂；钼；铌；铟；钨；铟锡氧化物；铟钛酸铅；塑料/高分子材料；聚四氟乙烯(PTFE)；聚甲醛(POM)；聚苯并咪唑(PBI)；聚醚醚酮(PEEK)；聚酰胺(PFA)；聚酰胺(PFA)；聚酰胺等。