CRF电浆清洗机清理PTFE黏性不错，但须要持续地调整工作参数：
        CRF电浆清洗机技术等离子体表面处理的功率并非越大越好，在较低功率下，清理的薄膜剪切强度随着功率的增加而增加，达到峰值后强度逐渐降低。感应式耦合等离子体蚀刻方式(ICPE)是化学反应环节和物理环节的综合结果显示。它的机理是：在低压下，由ICP射频电源向环状耦合电磁线圈輸出，通过耦合电弧放电，混合刻蚀汽体通过耦合电弧放电，产生致密的等离子体，在下电极RF作用下，在基片表面跃迁，基片图形区域内的半导体器件的离子键被打断，与刻蚀汽体产生挥发性物质，将汽体从基片中分离出来，抽离真空管。
        同样条件下，氧气等离子体清理比氮气等离子体清理效果更好。如果须要进行蚀刻，以及蚀刻后须要清除污垢，浮渣，表面处理，等离子聚合，等离子灰化或任何其他蚀刻应用，我们可以按照客户的要求，生产出安全可靠的电浆清洗机技术。我公司兼具传统的等离子型蚀刻系统和反应型离子型蚀刻系统，可以生产系列产品，也可以为客户定制专用系统。我们可以提供快速/高质量蚀刻，提供所需的均匀度。

        随着清理时间的延长，薄膜表面接触角减小，但在一定时间内，接触角几乎没有变化。等离子体清理可用于各种基底，复杂的几何构形也可进行等离子体活化，等离子体清洗，等离子体镀膜等。等离子处理的热负荷和机械负荷较低，故此，低压等离子也会清理敏感材料。
       以上结果显示阐述，利用等离子体表面处理PTFE黏性不错，须要持续地调整各清理参数以获得良好的处理工艺，CRF诚峰智电浆清洗机操作简单，可设定多个实验参数，同时也可储存多种工艺参数，这对探寻工艺参数很有帮助。
        CRF电浆清洗机技术的典型应用是：半导体/集成电路；氮化镓；氮化铝/氮化镓；砷化镓/砷化铝镓；砷化镓；磷化铟、镓/铟镓化物(InPInGaAs/InAlAs)；硅；硅锗；硅化硅陶瓷(Si3N4)；硅的溴化氢；硒化锌(ZnSe)；铝；铬；铂；钼；铌；铟；钨；铟锡氧化物；铟钛酸铅；塑料/高分子材料；聚四氟乙烯(PTFE)；聚甲醛(POM)；聚苯并咪唑(PBI)；聚醚醚酮(PEEK)；聚酰胺(PFA)；聚酰胺(PFA)；聚酰胺等。