等离子处理机的刻蚀工艺改变氮化硅层的形态原理：
    crf等离子处理机可实现清洗、活化、蚀刻和表面涂层等功能，依据需要处理的材料不同，可达到不同的处理效果。半导体工业中使用的等离子处理机主要有等离子蚀刻、显影、去胶、封装等。在半导体集成电路中，真空等离子体清洗机的刻蚀工艺，既能刻蚀表面层的光刻胶，又能刻蚀底层的氮化硅层，通过调整部分参数，就可以形成一定的氮化硅层形貌，即侧壁的蚀刻倾斜度。

   1、氮化硅材的特性：
    氮化硅酸盐是一种新型的炙手可热的材料，它具有密度小、硬度大、高弹性模量和热稳定性好等优点，在许多领域得到了广泛应用。氮化硅可以代替氧化硅在晶圆制造中使用，因为它的硬度高，可以在晶圆表面形成非常薄的氮化硅薄膜(在硅片制造中，常用的描述薄膜厚度的单位是埃)，厚度大约在几十埃左右，可以保护表面，避免划伤，另外它突出的绝缘强度和抗氧化能力也能很好地达到隔离效果。它的不足之处是流动性不如氧化物，刻蚀困难，采用等离子处理机技术可以克服刻蚀困难。
    2、等离子处理机原理及应用：
等离子体腐蚀是通过化学或物理作用，或物理与化学的联合作用来实现的。反应室内气体的辉光放电，包括离子、电子和游离基等活性物质的等离子体，通过扩散作用在介质表面吸附，并与其表面原子进行化学反应，形成挥发性物质。在一定压力下，高能量离子还对介质表面进行物理轰击和腐蚀，以去除再沉积反应产物和聚合物。使用物理化学的联合作用，完成对介质层的蚀刻。