根据用途的不一样，能够选取各种结构的等离子清洗设备，经过选取不一样种类的气体，调整装置的特征参数，最大限度地优化工艺流程。但是，等离子体处理设备的基本结构大致相同。一般装置可由真空室、真空泵、高压电源、电极、气体导入系统、铸件传输系统和控制系统组成。常用的真空泵是转动油泵，高压电源往往是13.56兆赫兹无线电波。设备的运行过程如下:
(1)等离子体处理设备清洗过的铸件被送进真空室并固定，启动运转装置，开始排气，使真空室真空度达到十帕上下的规范真空度。一般排气时间2分钟上下。
(2)将等离子体处理设备中使用的气体引入真空室，并将其压力保持在100帕。根据清洗材料的不一样，能够选取氧气、氢气、氩气或氮气。
(3)在真空室的电极和接地装置之间施加高频电压，破坏气体，经过电弧放电形成离子和等离子体。将真空室形成的等离子体完全涵盖处理铸件，并开始清洗操作。往往清洁处理持续几十秒到几分钟。
(4)等离子体处理设备清洗后，切断高频电压，排出气体和气化污垢，将空气鼓入真空室，将气压升至大气压。
接下来，我们将介绍等离子清洗设备在半导体中的应用。由于半导体技术的不断发展，对半导体芯片表层质量，特别是表层质量明确提出了更好的规范。其中，晶片表面微粒和金属杂质的污染将严重影响设备的质量和产量。当前集成电路生产中，由于芯片表面的污染，材料的损耗仍超过50%。

      半成品过程中，几乎每一个工序都要进行清洗，晶片清洗质量严重影响设备的性能。但是，由于半导体制造需要有机和无机物质的参与，工艺总是由净化室的人进行，半导体晶片不可避免地会被各种杂质污染。正是因为晶圆清洗是半导体制造过程中非常重要和频繁的一步，制造商首选等离子体处理设备技术，消除晶圆表面的颗粒、有机物、金属离子和氧化物，提高芯片设备的良率、性能和可靠性。