在线式plasma清洗工艺用在键合和铜引线框架：
一、在线式plasma清洗工艺的应用
        集成ic黏结中的空隙是封装技术中常见的现象，主要是因为没经清洗处理的表面存在许多氧化物质和有机污染物，会导致集成ic黏结不完全，降低封装的散热能力，给封装的稳定性带来极大的影响。在集成ic黏结前，采用O2、Ar和H2的混合气体进行几十秒的在线式等离子清洗，可以去除元件表面的有机氧化物质和金属氧化物，可以增加材料表面能，促进黏结，减少空隙，极大地改善黏结的质量。

二、键合前的在线式plasma清洗
       引线键合是集成ic和外部封装体之间互连最常见和最有效的连接工艺，据统计，约有70%以上的产品无效均由键合无效引起。主要是因为焊盘上及厚膜导体的杂质污染是引线键合可焊性和可靠性下降的一个主要原因。包括集成ic、劈刀和金丝等各个环节均可造成污染。如不及时进行清洗处理而直接键合，将造成虚焊、脱焊和键合强度偏低等缺陷。采用Ar和H2的混合气体进行几十秒的在线式等离子清洗，可以使污染物反应生成易挥发的CO2和H2O。由于清洗时间短，在去除污染物的同时，不会对键合区周围的钝化层造成损伤。因而，通过在线式等离子清洗可以有效清除键合区的污染物，提高键合区的粘结性能，增强键合强度，可以大大降低键合的失效率。
三、铜引线框架的在线式plasma清洗
       引线框架作为封装的主要结构材料，贯穿了整个封装过程，约占电路封装体的80%，是用于连接内部芯片的接触点和外部导线的薄板金属框架。引线框架所选材料的要求十分苛刻，必须具备导电性高、导热性能好、硬度较高、耐热和耐腐蚀性能优良、可焊性好和成本低等特点。从现有的常用材料看，铜合金能够满足这些要求，被用作主要的引线框架材料。但是铜合金具有很高的亲氧性，极易被氧化，而生成的氧化物质又会使铜合金进一步氧化。形成的氧化膜过厚时，会降低引线框架和封装树脂之间的结合强度，造成封装体发生分层和开裂现象，降低封装的稳定性。
        因而，解决铜引线框架的氧化物质无效问题对于提升电子封装的稳定性起到至关重要的作用。采用Ar和H2的混合气体进行几十秒的在线式plasma清洗，可以去除铜引线框架上的氧化物质和有机物，能够达到改善表面性质，提高焊接、封装和黏结可靠性的目的。