等离子体发生器清洗的硅油光致发光性能影响：
        显视和发光技术的发展促使应用于光源的白光发射材料得以密切关注。近年来，大家发现非晶Si:C:0:H材料的光致发光PL)可以覆盖350~800nm的光谱范围，因此其变成希望极大的白光发射候选材料。
        人们探索了各种非晶Si，以获得可能使用的白光发射材料:C:0:H材料的光发光性能，如反应直流磁控溅射制备的非晶Si:C:O:氢化非晶碳化硅6由H膜、热蒸发沉积和熔化涂层技术、0、膜、反应直流磁控溅射和等离子体增强的化学气相沉积制成-SiC:H)掺硅金刚石碳膜由等离子体增强的化学气相沉积制成。

       在制备这些薄膜时，通常需要使用较高的沉积温度或较高的后处理温度，如热蒸发沉积a-SiC,O,膜的沉积温度高达800℃，熔化涂层技术制备a-SiC,O,烧结温度高达1300℃。
       当将发光材料应用于光电集成技术时，这么高温度可能造成其它的材料和器件的损伤，因此发展低温下制备非晶Si:C:0:H光发射材料的方法就变得非常重要。
        硅油是一种含Si、C、0、H组分的高分子材料。由于其稳定的化学性能，硅油常常作为发光材料的封装材料而在发光器件中得到应用。
       近年来对非晶Si:C:O:H光发射材料的研究表明材料的光致发光性能与薄膜中的键结构、缺陷、纳米颗粒和团簇有关。硅油的键结构可以直接用Ar等离子体处理而改变，因此，可以采用等离子体发生器设备处理硅油来改变硅油结构或制备非晶Si:C:O:H薄膜，得以具有光致发光特性的改性硅油或非晶Si:C:O:H薄膜。
       在等离子体中，放电产生处理硅油所需的活性基团，可以控制硅油的离子能量，结合等离子体发生器反应和离子轰击效应，从而改变硅油的结构，具有光发光特性的改性硅油或非晶体:C:O:H薄膜。