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20年专注等离子清洗机研发生产厂家
通入四氟化碳作为真空等离子蚀刻机的气源可以实现蚀刻的功能：
另外物理过程是通过真空等离子蚀刻机对基片表面的轰击与溅射刻蚀不同的是，这里的物理轰击，主要是破坏化学键和晶格序列，加快反应物的脱附，来促进化学反应过程的进行以及表面非挥发性产物的去除。在等离子刻蚀清洗机ICP的刻蚀过程中，衬底偏压为真空等离子蚀刻机提供能量，能够使活性粒子作用于基片表面，其功率大小决定等离子动能的大小，这些高能活性粒子在刻蚀过程中，发挥着重要的作用。
相比于刻蚀前刻蚀后，表面质量有所下降分析其原因，由于ICP刻蚀辉光放电产生的活性粒子扩散到基片表面发生化学反应会生成一些非挥发性产物，来不及脱附沉积到基片表面。另外还有部分离子对基片产生物理轰击作用，破坏表面晶格阵列使基片表面产生孔洞及麻点导致材料表面质量下降。同时在原基底表面由于存在硅和碳化硅两相组分其结构不统一。真空等离子蚀刻机刻蚀后的材料表面时两相分界处、孔洞及麻点等不均匀性，会导致材料表面对光线的散射作用，其中孔洞也会增加材料对光线的吸收致使材料表面反射率降低，表面粗糙度增大。
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