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CRF诚峰智造表面等离子刻蚀机为您晶圆硅片光刻胶去除实例：
表面等离子刻蚀机等离子体除胶法，其原理是以干等离子除胶法为主要的蚀刻性气体。该装置利用高频和高压的能量，在真空等离子刻蚀机除胶反应室内电离生成氧离子和游离氧原子。
氧分子和电子等混合的等离子体，其中游离态氧原子有着很强的空气氧化能力(约10-20%)，在高频电压下与晶圆光刻胶膜发生反应：O2→O*+O*,CxHy+O*→CO2↑+H2O↑。生成的二氧化碳和水，反应后，立即被抽出。表面等离子刻蚀机等离子体除胶的特点是除胶使用方便，除胶高效率，表面清洁光洁，无刮痕，低成本，绿色环保。
CRF诚峰智造表面等离子刻蚀机等离子体除胶采用性能优良的部件和软件，可以轻易控制工艺参数，其过程监测和数据采集软件可以实现严格的质量控制，此技术已获得成功。适用于功率晶体管，模拟器件，传感器，光学器件，光电器件，电子器件，MOEMS，生物器件，LED等领域。
上述发现，硅片在未经处理之前，表面残留了大量的光刻胶，经CRF诚峰智造表面等离子刻蚀机等离子除胶处理后，表面光刻胶全部去除，效果很好。
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