CRF等离子蚀刻机在清洗晶圆光刻胶工艺的微蚀刻应用:
       半导体设备中，对各电子元件的产品质量品控和稳定性标准较高，某些颗粒污染物质和残渣均会对电子元件造成干扰，CRF等离子蚀刻机的干试处理在对半导体的功能增强上拥有明显的优点，下面我们主要根据倒装集成电路芯片及其晶圆表层光刻胶的清除2个层面来做好详细介绍。

       伴随着倒装集成电路芯片技术应用的出现，干试的等离子清洗就与倒装集成电路芯片相互促进，成为了增强其生产量的关键功能。根据对集成ic及其封承载板做好等离子体清洗设备处理，不但可以取得超干净的焊接工艺表层，还能够极大水平上增强焊接工艺表层的活性，合理有效避免虚焊及其极大减少断层或空洞，增强填充物的边界相对高度和包容性，持续改善打包封装的拉伸强度，降低因各种不同原材料的膨胀系数而在表面间产生内应的剪切应力，加强产品的稳定性及其增强使用期限。
       CRF等离子蚀刻机在处理晶圆表层光刻胶时，CRF等离子蚀刻机清理可以清除表层光刻胶和其他有机化合物，还可以根据等离子体活化和粗化功能，对晶圆表层做好处理，能合理有效增强其表层侵润性。相较于传统式的湿法化工方式，等离子体清洗设备干试处理的可操控性更强，统一性更加好，同时对基材沒有危害。
       在做好CRF等离子蚀刻机操控时，其射频电源所造成的热运动会使产品质量小、运作速率快的带负电自由电子迅速抵达负极，而正离子则是鉴于产品质量大、速度比较慢而难以在相同时间抵达负极，随后就会在负极附近构成带负电的鞘层，正离子在这个鞘层的加快之下，就会笔直的轰击在硅片的表层，随后使得表层的化学反应加快，而且会使得反应生成物脱离，因而其离子注入速度极快，离子的轰击也会使各向异性离子注入得以实现。