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硅片表层等离子表面处理获得更好的键合效果：
利用等离子体轰击清洗硅片表面可以提高其表面能量，实现表面附着力的提升。在严格控制工艺参数的情况下，利用等离子体激活硅片表面，可以大大提高键合强度，产生很少的空洞或间隙，获得更好的键合效果。
硅片的键合技术已广泛应用于传感器和执行器。但硅片的预键合通常是1万℃在上述高温条件下退火可达到较高的粘结强度，而高温容易造成多种问题。
特别是用于制造设备的硅片，高温条件下硅与其他材料的热不匹配导致热应力大，损坏设备，或发生一系列化学反应和缺陷或污染，使设备失效。
低温键合中键合强度的显著提高主要是由于键合前等离子体的表面预处理，通过调整表面预处理时间、偏置电压大小、射频功率、气体流动速率等适当的工艺参数，可以避免间隙或孔隙的形成。
等离子表面处理活化通常被称为干表面活化，主要是利用等离子体的能量和材料表面的物理或化学反应过程来实现清洗、蚀刻和表面活化。在活性等离子体的轰击下，硅片表面会产生物理化学反应，使被清洗物体表面的物质变成颗粒和气体物质，通过抽真空排出，达到清洗污染和激活表面的目的。
活化硅片等离子表面处理用O2等离子体轰击圆片表面，清除有机污染和氧化物，使圆片表面达到高度不规则的多孔结构，使硅片达到超高的键合率。
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