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IP胶经CRF等离子火焰处理机DIW接触角有所下降

IP胶经CRF等离子火焰处理机DIW接触角有所下降:
       IP胶水被广泛应用于0.25μm光掩模设计原则及以下工艺其中一种光刻胶,其中之一IP3600是一种常用的00.25DR的Hline光掩模的光刻胶。甚至在1300。nm相移掩模技术的二次掩模加工仍将使用IP胶。

等离子火焰处理机

       IP胶是一种基于酚醛树脂的光刻胶,与酚醛树脂一起使用poly胶体的主要区别在于胶体表面有明显的抗分解现象,即亲水性差。对于胶体表面。IP就胶水而言,其亲水性差会使显影液难以均匀作用于胶水表面,从而形成缺陷或导致显影不完整。因此,在IP在胶显影中,工艺难点之一是如何提高显影前IP胶水的亲水性。

      等离子火焰处理机作为半导体制造和包装领域常用的预清洗方法,可以物理去除硅片或芯片表面的一些污染(如自然氧化层、灰粒、有机污染物等)。).采用等离子火焰处理机的表面预处理方法IP对于橡胶表面,为了提高橡胶表面的粗糙度,从而提高去离子水润湿胶水表面的均匀性,避免胶水表面的粗糙度IP胶亲水性问题带来的显影缺陷。在等离子火焰处理表面处理时,由于等离子体的轰击会引起轰击IP胶水厚度的损失。为了方便后续显影时间和显影均匀性的控制,必须考虑等离子体轰击引起的等离子体轰击。IP胶水厚度损失。
       等离子体清洗机表面处理后,由于等离子体轰炸的损失,其掩模板IP处理前564胶厚.4nm,降至处理后的561.2nm,厚度损失约3.2nm,远在IP胶水显影前可控厚度偏差(565)+10)nm.这表明,尽管表面轰击效应会导致表面轰击效应IP胶水的厚度有一定的损失,但时间短、厚度损失小,胶水厚度有一定的损失。一般来说,这种等离子体表面处理是正确的IP胶的厚度不会有明显影响。
       IP胶经等离子火焰处理机处理后,其对DIW接触角显著降低,即静态接触角从未处理过的77°降至45°,前进接触角从未处理过88°降至51°,也使后退接触角从未处理过33°降到10°下面。这表明,由于等离子体对应IP胶表面的轰击增加了表面的微粗糙度,进而增加了表面的微粗糙度IP胶水的吸附和浸润能力提高了胶水的吸附和浸润能力IP胶表面的亲水性。
       在显影前的水冲洗步骤中,可以清楚地看到等离子火焰处理上可以清楚地看到表面水滴变小,密集均匀地分布在胶表面,这也表明其亲水性和显影均匀性得到了显著提高。


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