诚峰PDMS等离子清洗机键合的关键工艺:
       鉴于半导体技术的飞速发展，对生产工艺确立了更高一些的标准，特别是在相对于半导体圆片的表层质量标准变得越来越高，首要原因是圆片表面的颗粒和金属材料残渣的沾染会严重影响器件的质量和成材率，当前集成电路生产中，鉴于存在着晶圆表面沾染问题，超过50%的集成电路材料丢失。
       在半导体制造过程中，几乎每一道工序都需要进行圆片清洗的清洗质量，严重影响着器件的性能。正因为圆片清洗是半导体制造过程中最为重要、最为频繁的步骤，而其工艺质量直接影响着设备的成品率、性能和可靠性所以国内外各大公司、研究所等都在不断地对清洗工艺进行研究。离子清洗是一种先进的干式清洗技术，具有绿色环保等特点，随着微电子行业的快速发展，等离子清洗机在半导体工业中的应用日益增多。

       现在，相对于PDMS和硅基材料的低温粘结有多种方法。用硅-PDMS制备多层结构微阀时，直接旋涂PDMS，固化于硅片上，是一种可逆键合的方法，该方法为可逆键合，结合强度不高。生物芯片采用crf等离子清洗机对PDMS与带氧化层掩膜的硅衬底进行分别处理，使之相互结合。该方法实际上是PDMS和SiO2掩膜的结合体，但是在硅片上热氧化得到的SiO2膜层与PDMS的结合效果并不理想。采用等离子体法对PDMS和带钝化层的硅片进行了表面处理，并在常温下成功地进行了键合。人们普遍认为，通过氧等离子体改性来实现PDMS与其他基片结合的技术是经过氧等离子体表面改性后，PDMS衬底应及时贴合，否则PDMScrf等离子清洗机表面将迅速恢复疏水性，从而导致胶接失效，所以操作的过程时间比较短，一般是1~10min。然而，一般在需键合的PDMS衬底和硅衬底上都会有相应的微细结构，在粘合前需要用一定的时间对齐结构图，因此，如何延长PDMS活性面的时间，就成了保证诚峰PDMS等离子清洗机粘合质量的关键。
       crf等离子清洗机粘具有工艺简单、操作方便、无废料处理及环境污染等优点。但是，它不能去除碳、以及其他非挥发性金属材料或金属氧化物残渣。等离子体清洗常用于光刻胶的脱除工艺中，在强电场作用下，在等离子体反应系统中引入少量氧，使氧生成等离子体，快速将光刻胶氧化成挥发性气态物质。此种清洗工艺具有操作简便、效率高、表面清洁、不需酸碱和有机溶剂等优点，且不需酸、碱、有机溶剂等，受到越来越多的关注。