诚峰智造的等离子体发生器设备在LeD封装中的应用:
       LeD封装工序可以直接干扰LeD产品的合格率，其中99%是由支架引起的封装技术问题，晶片和衬底污染物质、氧化物、环氧树脂等污物的去除，一直是人们关心的问题，近年来，等离子清洗法作为一种新型清洁技术，为这类问题提供了一种经济有效、无污染的解决方案。对于不同的污物，根据基片和片材的不同，采用不同的清洗工序可获得理想的效果，但不正确的工序使用也有可能导致产品报废，如银材的芯片采用氧等离子化技术，会氧化变黑甚至报废。因而在LeD封装中，挑选适度的等离子清洗工序极为关键，而熟悉等离子清洗原理则更为关键。一般说来，微粒污物和氧化物采用5%H2+95%Ar混合气体进行诚峰智造的等离子体发生器设备清洗，镀金材料晶片可利用氧等离子体除去有机物质，而银材料芯片不能。在LeD封装中挑选合适的等离子清洗工序大致可分为以下3个层面：

1、点uv胶前：在底板上的污物会使uv胶呈球形，不利于芯片粘贴，并且容易在手刺芯片时导致损坏，采用等离子体发生器清洗，可显著改善工件表面粗糙度和亲水性，有益于uv胶平整和贴片，还能够大幅度的地节约胶水用量，降低成本。
2、引线连接前：芯片贴于衬底后经高温固化，其上所存在的污物可能含有微粒及氧化物等。这些污物在物理、化学作用下，使导线与芯片、衬底之间焊接不完整或粘着不良，导致连接强度不足。引线连接之前进行等离子体发生器清洗，可显著改善其表面活性，进而提高粘接强度和键合引线的拉伸均匀性。胶接刀片的的压力可以较为低(有污物，键合头要穿透污物，需要更大的的压力)，有时，粘合温度也可以降低，进而提高产量，降低成本。
3、LeD封胶前：在LeD注塑过程中，污物会导致气泡的发泡率较高，进而导致产品品质和使用期限低，因而，防止胶封中气泡的形成同样是人们关心的问题。等离子体发生器清洗后，晶片与基片更紧密地结合在一起，大大减少了气泡的形成，同时也显著地增加了散热率，增加了光的发热量。