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CRF等离子蚀刻机ICP蚀刻技术应用广泛SiC刻蚀应用：
反应烧结碳化硅(RB-SiC)是一种新型陶瓷材料，其具有性能好、比刚度高、导热性大、膨胀系数小的特点.随着光学技术的快速发展，光学系统正朝着大口径、低损耗和轻量化的方向发展，光学元件具有高分辨率、广阔的视野和高质量的表面形态RB-SiC因其优越的性能，材料获得了广泛应用，这会对材料表面的光学质量提出了更高的要求。目前，加工工艺目前正在加工SiC有许多方法，主要包含电化学腐蚀、机械加工、超声波加工、激光蚀刻和等离子体干燥蚀刻。等离子体蚀刻机的干蚀技术主要包含反应离子蚀刻(RIE)，电子回旋共振(ECR)感应耦合等离子体(ICP)等。ICP蚀刻设备具有选择性和各向异性结构，操作简单，控制方便，因此，ICP蚀刻技术应用广泛SiC蚀刻应用。
CRF等离子蚀刻机ICP主要采用蚀刻技术SiC半导体器件和微机电系统(MEMS)器件的加工制作，等离子蚀刻机刻蚀表面质量，提升SiC微波功率器件的性能质量。ICP蚀刻技术完整的蚀刻过程可分为三个步骤：①吸附蚀刻材料；②形成挥发物；③解吸附。它包括两个过程：化学和物理：在化学过程中，蚀刻气体通过电感耦合产生活性基、亚稳态粒子和电子，中性粒子扩散到基底表面，与蚀刻材料表面的原子发生化学反应，产生挥发性物质。这些副产品被真空系统从腔室中提取，以实现气体化学蚀刻。
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