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为什么真空plasma也可以称之为蚀刻处理——等离子刻蚀机

为什么真空plasma也可以称之为蚀刻处理——等离子刻蚀机
       plasma与物件表面的反应可分为物理溅射和化学变化。物理溅射原理是高能活力微粒溅射物件表面,使脏污从表面剥离,最后被真空泵抽走;化学变化机理就是各种特异性微粒和污染物质反应形成挥发性物质,然后挥发性物质被真空泵抽走。半导体材料光学材料涂层,硬化前清洗,LCD玻璃印刷、贴合、包装前清洗、LED点银胶,引线键合,封胶前清洗,可提高产品质量,PCB电路板孔化、除渣、绑定处理,可以提高镀铜结合性和焊接成功率。提高材料的粘接强度和印刷油墨、涂层和涂层的附着力。无纺布隔膜、空心纤维和各种天然纤维用于水处理。等离子刻蚀机对合成纤维的处理可以提高其渗透性、亲水性、印染性等功能。去除继电器接触氧化层,清洁精密零件表面的油污、助焊剂等有机物。

等离子刻蚀机

      以物理反应为主的等离子刻蚀机清洗,又称溅射腐蚀(SPE)或离子铣(IM),其优点是不发生化学变化,清洁表面不留下氧化物,能保持清洁物的化学纯度,腐蚀异性;缺点是对表面损伤大,热效应大,清洁表面各种物质选择性差,腐蚀速度低。等离子刻蚀机清洗的优点是清洗速度高.选择性好.去除有机污染物更有效,缺点是表面形成氧化物。与物理反应相比,化学变化的缺点并不容易克服。
       而且两种反应机制对表面微观形态的影响明显不同,物理反应可以使表面在分子级范围内变得更加不同“粗糙”,从而改变表面的粘结特性。另一种等离子刻蚀机清洗是物理反应和化学变化在表面反应体制中发挥重要作用,即反应离子腐蚀或反应离子束腐蚀,两种清洗可以相互促进,离子轰击使清洗表面损伤削弱其化学键或形成原子态,容易吸收反应剂,离子碰撞加热清洗材料,更容易产生反应;其效果是更好的选择性.清洗率.均匀性,方向性好。
       典型的等离子刻蚀机物理清洗工艺是Ar等离子体清洗。AR惰性气体和等离子体本身AR它不会与表面发生反应,而是通过离子轰击来清洁表面。典型的等离子体化学清洗工艺是O2.清洁气体等离子体。等离子体产生的氧自由基非常活跃,容易与碳氢化合物发生反应。CO2.CO和HO2.从而去除表面污染物。

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