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CRF微波等离子体清洗设备的基本结构和工艺原理：
CRF微波等离子体清洗设备的清洗过程是：在真空腔内压力到一定范围并充入工艺气体。当腔内压力为动态平衡时，氧、氩、氢等工艺气体电离微波源振荡产生的高频交变电磁场，产生等离子体，活性等离子体物理轰击和化学被清洗物体为半导体。实验证明了这一点。在晶片生产中处理感光树脂带。微波等离子体的使用对腔体和腔门没有氧化损伤反应，使被清洗物体的表面物质变成颗粒和气体物质，借助抽真空排出，达到清洗的目的。微波放电是无电极放电，防止溅射造成的污染，同时使等离子体均匀纯净，密度更高。适用于高纯度物质的制备和处理，工艺效率更高。借助操作控制系统设置工艺参数，控制微波等离子体清洗设备的强度和密度，以满足不同清洗部件的工艺要求。
在密封腔中，反应等离子体清洁和激活密封带，主要是指自由基和基底表面的物理和化学反应。与其他频率相比，微波频率有两个决定性优势，一是离子浓度最高。微波等离子体中的反应颗粒数量远远大于RF等离子体中的等离子体数量会使反应速度更快，反应时间更短。其次，等离子体的自然特性之一是在直接暴露在等离子体基体上产生自偏压。这种自偏压取决于微波等离子体清洗设备的激励频率。例如频率为2.45GHz微波一般只需要5.15伏。在相同的情形下，RF自偏压等离子体需要100伏。
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